@inorobot NAND Flash 的存储单元是由浮栅晶体管组成的，数据是通过控制浮栅中的电荷数量来存储的。

写入数据时，会向控制栅极施加特定的电压，这会使电子穿过绝缘层进入浮栅，从而在浮栅中积累电荷。不同的电荷量对应于存储的不同数据位（例如，在 TLC 或 QLC NAND Flash 中，一个存储单元可以存储多个位的数据）。读取数据时，会施加较小的电压到控制栅极，根据由此产生的电流或电压变化来判断浮栅中的电荷状态，从而确定存储的数据。


存储单元就是个等效电容，电容存在漏电/自放电问题,长期不通电不刷新就会电压下降/电荷量剧烈变化

目前世面的 NAND 基本以下几种，存的状态越多主控越难纠错，因为每个存储单元实际存储的电荷量差不多所以存的状态越多意味着用来表示对应状态的电荷量区间越小也越难分辨，自然也因为自放电/漏电问题偏移而更容易出错，此外新工艺 3D 叠存储单元密度更大，假设极端情况下可能出现跨单元漏电情况，比如 A 单元的电荷大量跑到隔壁 B 单元，这样一出错就是两个单元甚至更多单元都出错


SLC (Single-Level Cell)：每个存储单元存储 1 位数据（ 0 或 1 ），具有最高的耐用性和最快的读写速度，但成本也最高。
MLC (Multi-Level Cell)：每个存储单元存储 2 位数据，性能和耐用性略低于 SLC ，但成本更低。
TLC (Triple-Level Cell)：每个存储单元存储 3 位数据，进一步提高了存储密度，但性能和耐用性相比 SLC 和 MLC 较低。
QLC (Quad-Level Cell)：每个存储单元存储 4 位数据，提供了最高的存储密度，但性能和耐用性是四种类型中最低的。


所以为了保证单元里面信号的可辨识度,现在 TLC/QLC 主控通电时会频繁纠错和刷新存储单元(相较以前 SLC/MLC)，但频繁刷新加剧写放大和单元磨损。再加上 SSD 本身纯电路组成，外置供电电源不稳或主控故障短路高压击穿可能会连带存储单元（ NAND ）一起坏比如直接全击穿了，与传统硬盘坏个主控板磁碟部分还是能拆下来做数据恢复相比，确实更适合一直通电用,存储游戏/热数据,

长期冷数据断电存放,还是其他方案更好.

存点碎文件试试
我以前单反老照片存 SSD 放了三年，总共八九百张 jpg+raw 格式，开机后发现里面有大概五六十张 jpg 小图预览不出来，手动打开也是提示文件损坏了
NTFS 格式，windows 上面检查磁盘/修复磁盘都说没问题，hdtune 测速度也没掉速度，就是有文件坏了。

不要想了，我也不理解为什么抖音快手能在中国大陆这么火
但这是事实

看得出楼主真心热爱摄影，支持！

你知道贝鲁特大爆炸吗

@wzqcongcong 不是，资产 1000 万港元以内你又不买渣打的保险的话，渣打是垫底

20231216 不能
3080ti 带 Quest3 串流都不够

pixel
研华工控机
大华工控机
海康工控机

没办法我太喜欢被动散热低功耗了，放房间里完全没声音，而且早点的工控机质量真的到手你就明白了，什么叫消费级与工业级的差距。

心理学上有群体催眠一说，特定群体有些时候潜意识会互相影响
然后，如果存在鬼就很简单了，如果他真的能施加影响比如导致受害者暴毙，那按照鬼存在的前提受害者横死也会化成恶鬼，然后恶鬼与恶鬼对打

@marquina pod 镜像做好，要拉起来多少个 pod 直接 scale 几个
```
kubectl scale --replicas=5 deployment nginx-deployment
```

通信卫星某种程度上是个路由器/交换机,所以利好华为/华三之类的国产通讯设备制造商?

还有个别 pod 需要翻墙的话直接在这个段网关上配置，会方便很多

一开始 all in one 一台宿主机的话可以用 openwrt 虚拟机这种来做交换机/路由用,配置网络出入策略的话直接根据网段来方便很多

既然你都强调“K8S 集群”了，那是 metallb 直接按 IP 段分配,这样方便管理.
比如 10.0.0.2-10.0.0.254 开发环境
10.0.1.2-10.0.1.254 测试环境
10.0.3.2-10.0.3.254 随用随扔环境
10.0.5.2-10.0.5.254 暴露外网环境

metallb 还可以配合 l2 l3 的交换机、路由用，如果虚拟的路由/交换机不够用你甚至可以直接用 vlan vxlan trunk 带到外面的物理交换机上减负,当然如果集群长期 20 个 pod 以内自己玩这么来有点重.但是如果打算长期用,这么规划好后面就不用怎么操心基本上开好 pod 看看 pod ip 地址就可以了