Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition

定义 Definition

等离子体增强化学气相沉积（常缩写 PECVD）：一种薄膜沉积工艺，通过在反应气体中引入等离子体来增强化学反应活性，使材料能够在相对较低温度下在基底表面生成并沉积成薄膜（常用于半导体、光伏、显示与MEMS制造）。

发音 Pronunciation (IPA)

/ˈplæzmə ɪnˈhænst ˈkɛmɪkəl ˈveɪpər dɪˈpɑːzɪʃən/

例句 Examples

PECVD is widely used to deposit silicon nitride films.
PECVD 广泛用于沉积氮化硅薄膜。

By adjusting RF power and gas flow ratios, plasma-enhanced chemical vapor deposition can tailor film stress and refractive index for optoelectronic devices.
通过调节射频功率与气体流量比，等离子体增强化学气相沉积可以为光电器件定制薄膜应力与折射率。

词源 Etymology

该术语由三部分组合而成：plasma（等离子体）+ enhanced（增强的）+ chemical vapor deposition（化学气相沉积，CVD）。其命名直接描述了工艺机理：利用等离子体提供高能电子与活性粒子，从而“增强”气相化学反应并促进薄膜在表面形成；因此也常以缩写 PECVD 出现在工艺与设备文献中。

相关词 Related Words

• Plasma
• Chemical Vapor Deposition
• Low-Pressure CVD
• Atomic Layer Deposition
• Sputtering
• Thin Film
• Silicon Nitride
• RF Power

文学与著作出处 Literary Works

• Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice, and Modeling（Plummer, Deal, Griffin）：在薄膜与介质沉积章节中讨论PECVD在集成电路制造中的应用。
• Handbook of Plasma Processing Technology（Rossnagel, Cuomo, Westwood 编）：系统介绍等离子体处理与PECVD相关机理与工艺参数。
• Materials Science and Engineering: An Introduction（Callister & Rethwisch）：在薄膜制备方法概述中常提及CVD/PECVD作为典型沉积技术。