化学气相沉积(常缩写 CVD):一种薄膜制备/涂层工艺,通过将含有目标元素的气态前驱体引入反应腔,在加热(或等离子体等)条件下发生化学反应,使固体材料在基底表面沉积成薄膜或涂层。常用于半导体、光学涂层、防护涂层与功能材料制备。(该术语在不同工艺变体中含义会扩展,如 PECVD、LPCVD 等。)
/ˈkɛmɪkəl ˈveɪpər dɪˈpɑːzɪʃən/
We used chemical vapor deposition to coat the glass.
我们使用化学气相沉积在玻璃表面形成涂层。
By adjusting the gas flow and temperature, chemical vapor deposition can produce uniform films on complex 3D structures.
通过调节气体流量和温度,化学气相沉积可以在复杂的三维结构上制备均匀薄膜。
该短语由三部分构成:chemical(化学的)+ vapor(蒸气/气相)+ deposition(沉积)。其中 deposition 源自拉丁语词根,意为“放下、沉积”。整体字面含义即“通过化学反应在气相中实现材料沉积”,后来在材料科学与半导体制造领域固定为专门术语,并广泛使用缩写 CVD。