非辐射复合:在半导体或发光材料中,电子与空穴复合时不发出光子,而是把能量以晶格振动(热)、缺陷/陷阱态或与第三个载流子碰撞等方式耗散掉的过程。常见机制包括SRH(缺陷辅助)复合与Auger(俄歇)复合。
/ˌnɑnˈreɪdiˌeɪtɪv ˌriːˌkɑmbɪˈneɪʃən/
Nonradiative recombination reduces the brightness of an LED.
非辐射复合会降低 LED 的亮度。
At high defect densities, nonradiative recombination dominates, shortening carrier lifetime and lowering the material’s photoluminescence efficiency.
在缺陷密度较高时,非辐射复合会占主导,缩短载流子寿命,并降低材料的光致发光效率。
该术语由两部分组成:non-(否定前缀,表示“非、无”)+ radiative(“辐射的”,与发出电磁辐射/光子有关)+ recombination(“复合”,在物理语境中特指电子与空穴重新结合)。整体字面义即“不通过辐射发光的复合”。