Shockley-Read-Hall

定义 Definition

Shockley–Read–Hall（简称 SRH）复合：半导体中一种常见的非辐射复合机制，电子与空穴通过缺陷/陷阱能级（晶格缺陷或杂质引入的能级）分步复合，从而影响器件的载流子寿命、漏电流与效率。（在很多教材里也会扩展到“SRH 产生-复合”过程。）

发音 Pronunciation (IPA)

/ˈʃɒkli ˈriːd hɔːl/

例句 Examples

SRH recombination becomes significant when a semiconductor has many defect states.
当半导体中缺陷态很多时，SRH 复合会变得很显著。

In silicon solar cells, Shockley–Read–Hall recombination at bulk defects and surfaces can limit the open-circuit voltage and overall efficiency.
在硅太阳能电池中，体内缺陷与表面处的 Shockley–Read–Hall 复合会限制开路电压并降低整体效率。

词源 Etymology

该术语来自三位物理学家的姓氏：William Shockley、William T. Read Jr.、Robert N. Hall。他们在 1950 年代提出并完善了“通过陷阱能级的产生-复合”理论，因此这一机制以三人姓名并列命名。

相关词 Related Words

• Semiconductor
• Recombination
• Carrier
• Defect
• Trap
• Lifetime
• Generation
• Nonradiative

文学与典籍 Literary Works

• Shockley, W. & Read, W. T. (1952). Statistics of the Recombinations of Holes and Electrons.（提出陷阱辅助复合的统计框架）
• Hall, R. N. (1952). Electron-Hole Recombination in Germanium.（与陷阱相关的复合理论发展）
• S. M. Sze & K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices.（经典半导体器件教材，系统讨论 SRH 复合）
• Streetman & Banerjee, Solid State Electronic Devices.（常见教学用书，介绍 SRH 寿命与复合）
• Pierret, Semiconductor Device Fundamentals.（以器件角度讲解 SRH 产生-复合与陷阱）