扩散电容：在 PN 结（如二极管、BJT 的结区）正向偏置 时，由于少数载流子被注入并在中性区“存储”（电荷积累），使端电压微小变化会引起存储电荷变化，从而表现出的等效电容。它通常在正向导通时更明显，并与载流子寿命、注入水平等有关。（另有“耗尽电容/结电容”等不同来源的电容效应。）
/dɪˈfjuːʒən kəˈpæsɪtəns/
The diode’s diffusion capacitance increases when it is forward-biased.
二极管在正向偏置时，其扩散电容会增大。
In a high-speed switching circuit, diffusion capacitance can slow transitions by storing charge in the junction region.
在高速开关电路中，扩散电容会因结区存储电荷而减慢电压跃迁速度。
“diffusion（扩散）”源自拉丁语 diffundere（“向四周散开、扩散”）；“capacitance（电容）”来自 capacity（容量）及后缀 -ance，表示“性质/状态”。合起来强调：由载流子扩散与电荷存储引起的等效电容。
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