Depletion Capacitance

释义 Definition

耗尽电容（又称结电容、空间电荷电容）：指在 PN 结或金属-半导体结 中，由于耗尽层（空间电荷区）宽度随外加电压变化而产生的等效电容。通常在反向偏置下更显著，电压越大，耗尽层越宽，电容往往越小。（除该常见义外，在不同器件结构中也会有更具体的定义与公式。）

发音 Pronunciation (IPA)

/dɪˈpliːʃən kəˈpæsɪtəns/

例句 Examples

The diode’s depletion capacitance decreases under reverse bias.
二极管在反向偏置下的耗尽电容会减小。

In high-speed circuits, designers model the PN junction’s depletion capacitance because it affects the switching transient and bandwidth.
在高速电路中，设计者会对 PN 结的耗尽电容进行建模，因为它会影响开关瞬态过程和带宽。

词源 Etymology

depletion 来自 deplete（使耗尽、使减少），在半导体语境中特指“载流子被扫空”的耗尽区；capacitance 源自 capacity（容量）+ 表示性质的后缀 -ance，表示“电容/储存电荷的能力”。合起来即“由耗尽区导致的电容”。

相关词 Related Words

• Junction
• Capacitance
• Depletion Region
• Space-Charge Region
• Diffusion Capacitance
• PN Junction
• Reverse Bias
• Semiconductor
• Built-in Potential

文学与著作 Literary Works

• Physics of Semiconductor Devices（S. M. Sze, Kwok K. Ng）——在 PN 结小信号模型中系统讨论耗尽电容（结电容）。
• Microelectronic Circuits（Sedra & Smith）——在二极管/结模型与频率响应分析中涉及耗尽电容对动态特性的影响。
• Solid State Electronic Devices（Streetman & Banerjee）——介绍耗尽区与结电容的物理来源及其电压依赖关系。