结电容:指在半导体器件的 PN 结(或类似结结构,如二极管、晶体管的结区)两侧因耗尽层形成而产生的等效电容。它会随反向偏置电压变化,常用来描述二极管/晶体管在高频或开关状态下的电荷存储与速度限制。(也常见写法:junction capacitance / depletion capacitance)
/ˈdʒʌŋkʃən kəˈpæsɪtəns/
The junction capacitance of the diode increases at lower reverse bias.
二极管的结电容在较低的反向偏置下会增大。
In high-speed switching circuits, junction capacitance can slow edge transitions and increase power loss, so designers often choose devices with lower Cj for fast signals.
在高速开关电路中,结电容会减慢信号边沿并增加功耗,因此设计者常选用结电容(Cj)更低的器件来处理快速信号。
junction 源自拉丁语 jungere(连接、结合),经由法语进入英语,表示“连接处/交汇处”;capacitance 来自 capacity(容量)+ 后缀 -ance,表示“电容(能力)”。合起来字面意思就是“结(交界处)的电容”,用于半导体结区的电学等效量。