Auger recombination（俄歇复合）：一种在半导体中常见的非辐射复合机制；电子与空穴复合释放的能量不以光子形式发出，而是传递给第三个载流子（电子或空穴），使其被“加热”到更高能态，随后通过散射把能量转为热。
/ˈoʊʒeɪ ˌriːˌkɑːmbɪˈneɪʃən/
Auger recombination reduces the efficiency of LEDs at high current.
俄歇复合会在高电流下降低 LED 的效率。
In heavily doped semiconductors, Auger recombination can dominate over radiative recombination, increasing heat generation and limiting device performance.
在重掺杂半导体中，俄歇复合可能会超过辐射复合而占主导，导致发热增加并限制器件性能。
“Auger”来自法国物理学家 Pierre Auger（皮埃尔·俄歇） 的姓氏；他在研究原子内层空穴弛豫时提出了相关的无辐射能量转移过程（与“俄歇效应”相关）。在半导体物理中，“Auger recombination”借用这一命名，强调能量由复合过程转移给第三个载流子而非发光。（该术语也常写作 Auger recombination，首字母大写以纪念人名。）
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