肖克利—里德—霍尔复合（SRH复合）：半导体中一种常见的非辐射复合机制，电子与空穴通过晶体缺陷或杂质引入的“陷阱能级”（缺陷态）分步复合，从而降低载流子寿命，影响二极管、晶体管与太阳能电池等器件性能。（该术语也常简称 SRH recombination。）
/ˈʃɒkli riːd hɔːl riˌkɒmbɪˈneɪʃən/
SRH recombination becomes important when a semiconductor has many defects.
当半导体中缺陷很多时，SRH复合会变得很重要。
In indirect-bandgap materials, device efficiency can be limited by Shockley–Read–Hall recombination through deep traps.
在间接带隙材料中，器件效率可能会受深能级陷阱引发的肖克利—里德—霍尔复合所限制。
该术语以三位学者命名：William Shockley（肖克利）与 William T. Read（里德）在20世纪50年代提出用统计模型描述“陷阱辅助复合”，随后 Robert N. Hall（霍尔）进一步发展并系统化该复合理论。因此合称 Shockley–Read–Hall，强调“通过缺陷能级（陷阱）进行的复合”这一物理图景。
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