二次离子质谱法:一种表面分析技术,用离子束轰击样品表面,使表面原子/分子溅射并产生“二次离子”,再通过质谱按质荷比(m/z)分离与检测,从而获得元素/同位素/分子碎片的组成信息,并可进行深度剖析与成像。常写作 SIMS。(该术语在不同语境下也可泛指相关仪器或测试方法。)
/ˈsɛkənˌdɛri ˈaɪən mæs spɛkˈtrɑːmətri/
Secondary ion mass spectrometry can detect trace impurities on a wafer surface.
二次离子质谱法可以检测晶圆表面的痕量杂质。
By combining secondary ion mass spectrometry with depth profiling, the team mapped how dopant concentrations changed through the thin film.
通过将二次离子质谱法与深度剖析结合,团队绘制了掺杂剂浓度在薄膜厚度方向上的变化分布。
该术语由三部分构成:secondary ion(二次离子,指被一次离子束轰击后从表面溅射产生的离子)+ mass spectrometry(质谱法,按质荷比分离并检测离子)。20世纪中后期随表面科学与半导体工业发展而广泛应用;在文献中常以缩写 SIMS 出现。