离化杂质散射:在半导体或等离子体中,带电的杂质原子/离子(如施主或受主被电离后)产生库仑势场,使载流子(电子或空穴)发生偏转与动量弛豫的一种散射机制。它常在低温或高掺杂条件下显著影响迁移率。(该术语在不同语境下也可能与“杂质散射”更广义概念相并用。)
/ˈaɪənaɪzd ɪmˈpjʊərɪti ˈskætərɪŋ/
Ionized impurity scattering reduces electron mobility at low temperatures.
离化杂质散射会在低温下降低电子迁移率。
In heavily doped silicon, ionized impurity scattering can dominate transport, so mobility models often include screening effects.
在重掺杂硅中,离化杂质散射可能主导载流子输运,因此迁移率模型常会把屏蔽效应考虑进去。
该短语由三部分构成:ionized(“被电离的”)源自 ion(离子)+ -ize(使……化)+ -ed(过去分词);impurity(杂质)来自拉丁语 impurus(不纯的);scattering(散射)源自中古英语 scatter(使分散)。合起来在固体物理/半导体物理中指“由带电杂质导致的散射”。