碰撞电离（冲击电离）：带电粒子（通常是半导体中的高能电子或空穴）在强电场中被加速后，与原子/晶格发生碰撞并把束缚电子打出，从而产生新的电子-空穴对的过程。它常导致载流子倍增，并与雪崩击穿密切相关。（在气体放电中也有对应机制。）
Impact ionization can create extra electron–hole pairs in a semiconductor.
碰撞电离可以在半导体中产生额外的电子-空穴对。
In a strong electric field, impact ionization may trigger avalanche breakdown and sharply increase the current.
在强电场下，碰撞电离可能引发雪崩击穿，使电流急剧上升。
/ˈɪmpækt ˌaɪənaɪˈzeɪʃən/
impact 来自拉丁语 impactus（“撞击、打击”），强调“碰撞”的动作；ionization 由 ion（离子，源自希腊语 ion，意为“行进者”）+ -ize（使成为）+ -ation（名词后缀）构成，表示“使形成离子的过程”。合起来即“通过碰撞导致电离”。
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