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Carrier Multiplication

定义 Definition

载流子倍增:在半导体等材料中,一个高能电子或空穴在强电场或吸收高能光子后,通过碰撞电离等过程产生额外的电子-空穴对,使载流子数量成倍增加的现象。常见于雪崩效应(avalanche)、光电探测与纳米材料的高效光生载流子产生研究中。(该术语在不同语境下也可指更广义的“多重激子产生”等相关机制。)

发音 Pronunciation

/ˈkæriər ˌmʌltɪplɪˈkeɪʃən/

例句 Examples

Carrier multiplication can increase the sensitivity of photodetectors.
载流子倍增可以提高光电探测器的灵敏度。

In avalanche photodiodes, carrier multiplication occurs when impact ionization generates additional electron–hole pairs under high electric fields.
在雪崩光电二极管中,载流子倍增会在高电场下通过碰撞电离产生额外的电子-空穴对。

词源 Etymology

carrier 原指“搬运者”,在物理与电子学中引申为“电荷的携带者”,即载流子(电子或空穴)。multiplication 来自“multiply(乘、倍增)”,表示数量增加。合起来直译为“载流子的倍增”,强调载流子数目因物理过程而被放大。

相关词 Related Words

文学作品与著名出处 Literary Works

  • S. M. Sze & Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices(《半导体器件物理》):讨论雪崩击穿、碰撞电离与倍增因子等概念时常涉及载流子倍增机制。
  • B. G. Streetman & S. Banerjee, Solid State Electronic Devices(《固态电子器件》):在PN结击穿、雪崩效应与光电器件增益章节中会出现相关表述。
  • 关于纳米材料与“多重激子产生/载流子倍增”的经典综述与论文常见于期刊 Nature PhotonicsPhysical Review LettersNano Letters 等(用于讨论高能光子诱导的载流子倍增与器件效率提升)。
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