common-gate(共栅):场效应管(FET,常见为MOSFET)的一种放大器/电路拓扑结构,其中栅极(gate)作为交流“公共端”(通常接地或交流接地),信号从源极输入、从漏极输出。该结构常用于宽带/射频前端,并以低输入阻抗、较好的高频性能为特点。(在不同语境下也可指“共栅级/共栅放大器”。)
/ˈkɒmən ɡeɪt/
A common-gate amplifier can provide a low input impedance.
共栅放大器可以提供较低的输入阻抗。
In RF design, a common-gate MOSFET stage is often used to match a 50‑ohm source while maintaining wide bandwidth.
在射频设计中,共栅MOSFET级常用于与50欧姆信号源做阻抗匹配,同时保持较宽的带宽。
common-gate 是由 common(公共的)+ gate(栅极) 组合而成的工程术语,命名方式与 common-source(共源)、common-drain(共漏) 平行:用“哪一个端子作为公共参考点(通常为交流地)”来描述该放大电路的连接方式与信号路径。