如何看待 : 《颠覆性！速度比 U 盘快万倍 "第三类存储技术"解决保密和传输的矛盾》

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V2EX 提问指南

这是一个创建于 2408 天前的主题，其中的信息可能已经有所发展或是发生改变。

写入速度比目前 U 盘快一万倍，数据刷新时间是内存技术的 156 倍，并且拥有卓越的调控性，可以实现按照数据有效时间需求设计存储器结构……经过测试，研究人员发现这种基于全二维材料的新型异质结能够实现全新的第三类存储特性。

就算写入速度 20M/s 的 U 盘一万倍 195GB/S

这是真的么?以后就没有内存什么事了?直接研究硬盘了??

链接:http://tech.ifeng.com/a/20180413/44947494_0.shtml

写入

调控性

速度

异质

28 条回复 • 2018-04-14 07:49:42 +08:00

hatw

2018-04-13 11:22:46 +08:00

新技术到实际应用都要 5 到 10 年。。。。。所以。。。再说接口标准还都没配套这么高的速度呢。。。CPU 还没说累呢

ericls

2018-04-13 12:14:53 +08:00 via iPhone

@hatw 5 年也很快啊

vicesa

2018-04-13 13:20:49 +08:00 via Android

intel optane 了解一下

m939594960

2018-04-13 13:21:42 +08:00

@vicesa 这玩意最高也就是个 ssd 的速度吧

aminic

2018-04-13 13:51:17 +08:00 via Android

系统总线了解一些谢谢

kingcos

2018-04-13 13:53:01 +08:00 via iPhone

前几年什么石墨烯电池呢？
感觉都是搞个大新闻…

flynaj

2018-04-13 14:15:58 +08:00 via Android

基本就是骗经费的

zjp

2018-04-13 14:28:48 +08:00 via Android

带"颠覆性"的一律按标题党处理。不觉得现在的科技发展还会有颠覆性的事件发生。
没有量产的东西对于我等不是搞科研的人来说没多大意义

adadada

2018-04-13 15:51:29 +08:00 via iPhone

还有一个关键参数存储密度没有提

adadada

2018-04-13 15:53:50 +08:00 via iPhone

@m939594960 这个就是 ssd，主要特点之一是 latency 比一般的 nand flash ssd 要低和稳定很多

lightening

2018-04-13 16:18:21 +08:00

张卫、周鹏这个团队确实很厉害。2013 年的时候做出了世界第一个半浮栅晶体管（ SFGT ），论文发在《 Science 》上。论文下载挺贵的，就看下标题：《 A semi-floating gate memory based on van der Waals heterostructures for quasi-non-volatile applications 》，应该是基于半浮栅晶体管的具体应用。距离上次发半浮栅晶体管的论文过去了 5 年，终于做出了一个具体应用。

这次论文发在《 Nature 》上： https://www.nature.com/articles/s41565-018-0102-6

n1dragon

2018-04-13 16:27:11 +08:00 via iPhone

呵呵。量子卫星的笑话还没闹完，又来个“第三类存储技术”。放卫星也不能这么快吧。

lightening

2018-04-13 16:30:11 +08:00

@lightening 不过看看闪存在 1980 年被发明，真的制作成 U 盘是 2000 年左右的事了。这是半导体物理器件上的突破，离做成商品还差很远。

yukiww233

2018-04-13 18:13:07 +08:00

intel samsung 的实验室里肯定有大把的黑科技...不谈物料生产成本以及量产可能性就是耍流氓

xupefei

2018-04-13 19:04:28 +08:00

量子卫星和这次的存储器成果都发在 Nature 上，楼上某几位是何处高人，有资格看不上这些东西？对科学要保持敬畏。

@lightening #11 PDF: https://file.io/36SsaA

saran

2018-04-13 19:08:06 +08:00 via Android

牙膏厂会给这么好的 CPU 我们用？

xupefei

2018-04-13 19:09:36 +08:00

这篇论文的结论里如是说：
we have demonstrated a quasi-non-volatile 2D SFG memory technology that fills the timescale gap between volatile and non-volatile memory technologies. A much longer refresh time was achieved (156 times longer than DRAM), which will decrease the power consumption caused by frequent refresh operations. The demands of various refresh times in the timescale gap (from 64ms to 10 years) could be satisfied by further band engineering the van der Waals heterostructures. The issue of severe speed attenuation in a memory based on 2D materials was also solved. The writing speed was significantly enhanced to be comparable with commercial DRAM technology, approximately 10^6 times faster than other memories based on 2D materials. In addition, we anticipate that quasi-non-volatile memory will support high-speed and low-power RAM.

重要性有两点：1 ） 10 年一次的刷新时间，比 RAM 长多了 2 ）比现存的 RAM 读写速度快一百万倍。

xupefei

2018-04-13 19:10:48 +08:00

@xupefei #17 “现存的 RAM ” -> “现存的已商用的 RAM ”

Shura

2018-04-13 19:11:55 +08:00

@xupefei 确实，我感觉现在的社会反智主义越来越流行了。

其实这类技术都是被一些无良网站的标题党给害了，导致普通人一看到标题就想喷。复旦关于这个的新闻稿标题就很正常。“剪裁数据有效期！复旦大学开创研发第三类存储技术微电子学院张卫、周鹏团队成果在《自然·纳米技术》发表” http://news.fudan.edu.cn/2018/0410/45581.html

ZAN0029

2018-04-13 19:16:59 +08:00 via Android

对啊光看标题我差点以为大跃进来了

@Shura

xupefei

2018-04-13 19:18:24 +08:00

@yukiww233 #14 科学界就是这样的。科学不考虑成本，因为成本是工业界的问题。实验室里的东西比群众见到的要先进几十年。

@Shura #19 无脑记者+无脑观众的结果。现在那些做科普的也抱怨，讲新技术普通人根本听不懂。久而久之，普通人越来越不愿意听科普了。

Shura

2018-04-13 19:22:07 +08:00

@ZAN0029 其实这些论文能在顶级期刊上发表足以证明其具有含金量，这表明我国科研实力的进步。可惜被标题党给害了。上次科大团队做的是量子模拟器，他们团队发的新闻稿写的也是量子模拟器，到国内媒体那里就变成通用量子计算机了，然后知乎很多人连 paper 的标题都没看就直接开喷。。。

Shura

2018-04-13 19:23:42 +08:00

@xupefei 很无奈的现实，这样只会导致反智主义在社会盛行，科普十次抵不过标题党一次啊。

lightening

2018-04-13 19:27:46 +08:00

看了 @xupefei 贴的节选，那篇报道确实非常不靠谱。

The issue of severe speed attenuation in a memory based on 2D materials was also solved. The writing speed was significantly enhanced to be comparable with commercial DRAM technology, approximately 10^6 times faster than other memories based on 2D materials.

大致翻译：
2D 材料导致的性能损失问题被解决了。写入速度和现在的商业 DRAM 大致相当，大约是现在的 2D 材料器件的 10^6 倍。

就是，以前 2D 器件比当代 DRAM 慢 100 万倍，现在这个差距被填平了。这个 2D 材料，相比 DRAM 的好处是数据保存的时间可以大大延长；相比 Flash 的好处是写入速度大大加快（与内存相当）。

xupefei

2018-04-13 19:32:36 +08:00 via Android

@lightening 感谢纠正，我漏看了前一句。这个新技术的速度等于 RAM 速度（比 SSD 快），数据有效时间比 RAM 长。

crazycen

2018-04-13 19:44:46 +08:00 via iPhone

一看标题，就知道是国产东西！已经免疫！

mcluyu

2018-04-13 19:49:13 +08:00

RAM 直接跟 CPU 通讯才那么快，不直接连在 CPU 上面，那还的研究一个超快的主控以及相关的接口带宽，不过真要到那时候，PC 的芯片也会类似手机 SOC 那样发展吧，CPU、GPU、RAM （不能叫 RAM 了，就是一个既能存储又能当内存用的东西了）都封装在一起了。

ProkillerJ

2018-04-14 07:49:42 +08:00 via iPhone

@lightening 这次的应该是 Nature Nanotechnology，nature 子刊（也很厉害了