STT-MRAM（Spin-Transfer Torque Magnetoresistive Random-Access Memory）指“自旋转移力矩磁阻随机存取存储器”，是一种非易失性存储技术：即使断电也能保存数据，常用于追求低功耗、快速读写与高耐久度的芯片与嵌入式系统中。（该缩写在工程语境中也可能泛指相关器件/工艺平台。）
/ˌɛs tiː tiː ˌɛm ɑːr ˈeɪ ɛm/
STT-MRAM is non-volatile memory.
STT-MRAM 是一种非易失性存储器。
Because STT-MRAM can combine fast access with high endurance, some designers consider it for embedded memory in low-power chips.
由于 STT-MRAM 可能兼具快速访问与高耐久性，一些设计者会考虑将它用作低功耗芯片中的嵌入式存储器。
STT-MRAM是由两部分缩写组合而成：STT 来自 spin-transfer torque（自旋转移力矩，描述用自旋极化电流改变磁化方向的效应），MRAM 来自 magnetoresistive random-access memory（磁阻随机存取存储器）。整体属于典型的工程领域首字母缩略词命名方式。
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