Gate Capacitance

定义 Definition

栅电容：在晶体管（尤其是 MOSFET）中，栅极（gate）与沟道/源漏及衬底等区域之间形成的等效电容。它会影响器件的开关速度、输入负载、功耗与频率响应。在电路中常被视为驱动端需要充放电的电容负载。（在不同工作区与结构下，栅电容可细分为 \(C_{gs}\)、\(C_{gd}\)、\(C_{gb}\) 等分量。）

发音 Pronunciation (IPA)

/ɡeɪt kəˈpæsɪtəns/

例句 Examples

The gate capacitance affects how fast the transistor can switch.
栅电容会影响晶体管开关的速度。

In high-speed CMOS design, engineers minimize gate capacitance to reduce delay and dynamic power consumption.
在高速 CMOS 设计中，工程师会尽量减小栅电容，以降低延迟和动态功耗。

词源 Etymology

gate 源自古英语 geat（“门、入口”），在电子学中引申为“控制电流通断的端/极”。capacitance 来自 capacity（源于拉丁语 capax，意为“能容纳的”）加后缀 -ance，表示“电容（性质/量）”。合起来 gate capacitance 就是“栅极相关的电容”。

相关词 Related Words

• Capacitance
• Capacitor
• Gate
• MOSFET
• CMOS
• Threshold Voltage
• Transconductance
• Parasitic Capacitance
• Input Capacitance
• Miller Effect

文学与著作出处 Literary Works

• Physics of Semiconductor Devices（S. M. Sze, Kwok K. Ng）——讨论 MOS 结构电容与栅电容模型
• Microelectronic Circuits（Sedra/Smith）——在小信号与高频模型中涉及栅电容及其对带宽的影响
• CMOS VLSI Design: A Circuits and Systems Perspective（Weste & Harris）——从数字电路延迟与功耗角度分析栅电容负载