楼主了解一下 Intel 的 WIDI 技术，数据线一根都不需要的。

领导是驯兽师，你们是动物，马戏团建起来还真快。

@z761031 现在的问题不是 macOS 用 M1 大杀特杀，而是 Windows 10 太难用了，各种 Bug 各种崩溃，PC 的硬件还是很厉害的，参见 AMD 的 zen3，主要还是 Windows 自己的问题。

内忧外患，自己做笔记本能够理解，给其他厂商做示范；自己做 CPU 的操作就很迷了，抢合作伙伴的饭碗？

好年轻的大佬。。。

T420s，内存点满，双 SATA 的 SSD，最后一代七行键盘经典 Thinkpad，感觉还能再战 5 年。

如果不带任何跳转的原始 login 页面，是没有这个图的：

https://login.taobao.com/member/login.jhtml

<img src="https://i.imgur.com/SnZVqoh.png" />

贡献一条启动参数脚本：

C:\Users\LenovoUser\AppData\Local\Google\Chrome\Application\chrome.exe --disk-cache-dir="Z:\TEMP" --disk-cache-size=1004857600 --media-cache-dir="Z:\TEMP" --user-data-dir="Z:\User Data" --allow-outdated-plugin -no-default-browser-check

条件：我的 Z 盘是虚拟出来的内存硬盘，User Data 和 TEMP 目录都放在内存盘里，Chrome 数据读写量非常大，这样能保护 SSD，缺点是死机以后 User Data 丢失，需要手动将 User Data 复制到 SSD，开机之后再复制过来。

说明：
--disk-cache-dir="Z:\TEMP" 磁盘 cache 移动到"Z:\TEMP"
--disk-cache-size=1004857600 指定 cache 大小
--media-cache-dir="Z:\TEMP" 媒体 cache 移动到"Z:\TEMP"
--user-data-dir="Z:\User Data" User Data 移动到"Z:\TEMP"
--allow-outdated-plugin 允许过期的 plugin
-no-default-browser-check 禁用系统默认浏览器检测提示

@WalkerCeng #111 你这个回复配你这个头像简直绝了。。。

@dayeye2006199 哥们儿，你说的这个方向不是 Software Engineering，是计算机系统（ Systems ），偏底层主要做 Infrastructure.

正统的 software engineering 搞的偏软件开发流程，属于方法学研究，你可以参考一下业界公认最佳的 CMU 的 SEI，他们的研究方向和课程设计。

键盘看起来不像是新的，都有点泛油光了，特别是 F 的那个横杠。

@zjqzxc

Win7 以后的系统有个特别 nb 的 feature：安装软件的时候，会把.msi 这种安装包在 C:\windows\installer 下面备份一个，这个本来是有些软件在卸载的时候才会用到的，我猜微软的目的是防止某些用户遗失了安装包而造成无法卸载，选择一股脑儿将这些安装文件全部备份到这个目录下面，所以，只要你新安装一个软件，这个目录就会膨胀一点，有时候你安装了同一个文件的新的版本，这个目录下面的老版本安装文件仍然会保留的。即使你自己手动保留了安装文件、安装镜像，微软还是会好心的帮你保存在这里。

@yolyzhu 现在很多工作上的东西都一股脑儿的绑定到微信了啊，甲方的意见，领导的安排，各种群聊，如果不留着，以后撕逼都没有证据。

都是没办法的事，否则谁用这个垃圾 IM 。

@vk42 高 TDP 肯定压不住，inFO/POP 的好处是大幅度减小体积，片上通信带宽比 PCB 要高，整体成本降低。

iPhone 只要是采用双层 PCB+inFO 封装的 A 系列处理器，都要考虑散热，发热稍微大点都会影响性能，打游戏的对此应该深有体会。

HBM 比 inFO 要好，通信带宽大幅度提高，毕竟是硅片级别的互联，成本也起飞了。但是未来还是属于 HBM, chiplet 这种的，毕竟 5nm 等先进工艺的成本在那里，性能提升又是刚需，就看怎么折衷。如果成本不敏感，性能又是刚需，那么就 HBM ；如果成本敏感，性能要求一般，那么就 inFO 或者其他 POP 方式。

RAM 和 NAND Flash 以后都会使用堆叠的，TSV 穿孔，体积不变，容量提升，频率提高，带宽跟着提高。这都是趋势。

@vk42 内存不是集成在 M1 的 CPU 里面的，不可能用 5nm 工艺来造 RAM 的，不然成本起飞。官方的 M1 照片里面，5nm 的 CPU 和两片独立的 RAM 芯片采用的是 TSMC 的 inFO/Package on Package 封装在一片 substrate 上面，这种方式也不是 HBM 内存，HBM 是 CoWoS，成本贵多了。

苹果目前采用的这种方式，是在速度，功耗，体积，成本等多个方面综合考虑之下的一个最优解。